特許
J-GLOBAL ID：200903079292844280

高性能CMOS用途のためのHfドープされた極薄の酸窒化シリコン膜及び製造方法

発明者：
チュー、ウェンチュアン

チュー、ウェンチュアン について

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チャジック、マイケル、ピー

チャジック、マイケル、ピー について

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グルチェンコフ、オレグ

グルチェンコフ、オレグ について

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パーク、デギュ

パーク、デギュ について

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関口 章久

関口 章久 について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (4件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-507818
公開番号（公開出願番号）：特表2008-538655
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
【課題】 高性能CMOS用途のためのHfドープされた極薄酸窒化シリコン膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体構造体と、これを形成する方法であって、この方法は、ベース・ゲート誘電体層(53)の上部に安定した拡散制御材料の均一なバッファ層を形成するステップと、次いで、遷移金属原子のソースを含有する均一な層を形成するステップと、次いで、この構造体をアニールして、ソースから遷移金属原子を、拡散制御材料を通してベース・ゲート誘電体層(53)に拡散させるステップと、を含む。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体基板(12)と、 前記基板の上に形成され、7×1014cm-2を超えない金属原子の表面濃度を有する、ゲート誘電体層(53)と、 を含む半導体構造体。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (7件)：
H01L29/78 301G ,  H01L27/08 321D ,  H01L21/283 C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 M
Fターム (81件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BF06 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF06 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA10 ,  5F140BA20 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140CE18
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許番号第6,624,093号(第‘093号特許)
  • 米国特許番号第6,342,414号(第‘414号特許)
  • 米国特許番号第6,475,874号(第’874号特許)
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審査官引用 (8件)
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