特許
J-GLOBAL ID：200903079844394412

半導体レジスト用共重合体におけるパーティクルの増加防止方法

発明者：
山岸 孝則

山岸 孝則 について

, 
水野 和彦

水野 和彦 について


出願人/特許権者：
丸善石油化学株式会社

丸善石油化学株式会社 について


代理人 (1件)： 小林 雅人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-266755
公開番号（公開出願番号）：特開2006-083214
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】半導体製造の微細なパターン形成に用いられるレジスト膜として好適な、保存中のパーティクルの析出が僅かであるために現像欠陥が極めて少ない半導体レジスト用共重合体を得ることのできる半導体レジスト用共重合体におけるパーティクルの増加防止方法を提供する。 【解決手段】本発明は、極性基を有する繰り返し単位と脂環構造を有する繰り返し単位とを有する半導体レジスト用共重合体を含み、且つ、イオン性添加剤を含まない半導体レジスト用共重合体溶液を、アミノ基及び/又はアミド結合を有する樹脂を含むフィルターに通過させることを特徴とする半導体レジスト用共重合体におけるパーティクルの増加防止方法である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
極性基を有する繰り返し単位と脂環構造を有する繰り返し単位とを有する半導体レジスト用共重合体を含み、且つ、イオン性添加剤を含まない半導体レジスト用共重合体溶液を、アミノ基及び/又はアミド結合を有する樹脂を含むフィルターに通過させることを特徴とする半導体レジスト用共重合体におけるパーティクルの増加防止方法。
IPC (4件)：
C08F 6/00 ,  G03F 7/032 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/26
FI (4件)：
C08F6/00 ,  G03F7/032 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/26
Fターム (37件)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AD03 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096LA16 ,  2H096LA30 ,  4J100AB02R ,  4J100AB03R ,  4J100AB07P ,  4J100AJ02P ,  4J100AJ03P ,  4J100AJ09P ,  4J100AK32P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM43P ,  4J100AR09R ,  4J100AR11P ,  4J100AR11R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA16P ,  4J100BB18P ,  4J100BC07P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100GC35 ,  4J100GC37 ,  4J100JA38 ,  4J100JA43
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (4件)
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