ホトレジスト組成物の製造方法、ろ過装置、塗布装置及びホトレジスト組成物

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416583
公開番号（公開出願番号）：特開2004-212975
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】現像後のレジストパターンのディフェクトの発生を抑制できるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。また、異物経時特性(保存安定性)に優れるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。そして、さらに好ましくは、処理前後で感度やレジストパターンサイズの変化が起こりにくいホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。【解決手段】樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含むホトレジスト組成物を、pH7.0の蒸留水において-20mV超、15mV以下のゼータ電位を有する第1の膜を備えた第1のフィルタ2qを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含むホトレジスト組成物を、pH7.0の蒸留水において-20mV超、15mV以下のゼータ電位を有する第1の膜を備えた第1のフィルタを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。

IPC (9件)：

G03F7/26 , B01D61/14 , B01D61/58 , B01D69/02 , B01D71/26 , B01D71/56 , C08F220/10 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (9件)：

G03F7/26 , B01D61/14 500 , B01D61/58 , B01D69/02 , B01D71/26 , B01D71/56 , C08F220/10 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (42件)：

2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025BJ10 , 2H025CC03 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA05 , 2H096LA16 , 2H096LA30 , 4D006GA02 , 4D006KA52 , 4D006KA56 , 4D006MA22 , 4D006MB19 , 4D006MC22 , 4D006MC23 , 4D006MC30 , 4D006MC54 , 4D006PB20 , 4D006PB70 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100BA03R , 4J100BA11Q , 4J100BA15P , 4J100BC09P , 4J100BC09R , 4J100BC09S , 4J100BC12S , 4J100BC15Q , 4J100BC53Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (12件)

ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100300 出願人：富士写真フイルム株式会社
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-234239 出願人：富士写真フイルム株式会社
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-193603 出願人：富士写真フイルム株式会社

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審査官引用 (8件)

ポジ型レジスト組成物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-134146 出願人：富士写真フイルム株式会社
レジスト組成物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-173377 出願人：住友化学工業株式会社
微細粒子量の低減されたフォトレジスト組成物の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-288264 出願人：住友化学工業株式会社

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引用文献：

出願人引用 (1件)

半導体産業新聞, 19971105, 第10面

審査官引用 (1件)

半導体産業新聞, 19971105, 第10面

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