特許
J-GLOBAL ID：200903080012774230

固体撮像素子

発明者：
神戸 秀夫

神戸 秀夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430505
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191262
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 暗電流や白傷の発生を抑制し、画質が良好な画像が得られると共に、受光センサ部の取り扱い電荷量を充分に確保することを可能にする固体撮像素子を提供する。【解決手段】 受光センサ部の第1導電型の電荷蓄積領域13の表面に第2導電型の半導体領域14が形成され、半導体基板11に形成された溝内に絶縁層から成る素子分離層20が埋め込まれて形成され、素子分離層20が、上部の幅の広い部分21と下部の幅の狭い部分22とから成り、素子分離層20の幅の狭い部分22の周囲に、第2導電型の半導体領域23が形成されている固体撮像素子10を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
受光センサ部の第1導電型の電荷蓄積領域の表面に、第2導電型の半導体領域が形成され、 半導体基板に形成された溝内に、絶縁層から成る素子分離層が埋め込まれて形成され、 前記素子分離層が、上部の幅の広い部分と、下部の幅の狭い部分とから成り、 前記素子分離層の前記幅の狭い部分の周囲に、第2導電型の半導体領域が形成されている ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 U
Fターム (12件)：
4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX02 ,  5C024GY31
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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