基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリ及びその読出し方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口朔生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-265549
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156957
出願日： 2005年09月13日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリを提供すること。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、反強磁性層(12)とその上に形成されたピン層(13)とその上に形成されたトンネルバリア層(14)とその上に形成された自由層(15)を備える少なくとも一つの磁気メモリセルを含む。ピン層(13)と自由層(15)は、基準磁気抵抗状態を形成するように直交配置される。提供されたMRAM構造によって、アクセス精度が大幅に増加され且つアクセス速度が加速される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリであって、反強磁性層と、反強磁性層と結合して設けられるピン層と、ピン層と結合して設けられるトンネルバリア層と、トンネルバリア層と結合して設けられる自由層とを備える少なくとも一つの磁気メモリセルを備え、ピン層と自由層の磁気ベクトルが基準磁気抵抗状態を形成するように互いに直交して配置される、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11C11/15 110

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA60 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜磁性体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-243983 出願人：三菱電機株式会社
磁気メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-248297 出願人：三洋電機株式会社
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-524584 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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