特許
J-GLOBAL ID：200903058427178394
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-219647
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054765
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】不純物を拡散させて自己整合的に形成したチャネル領域を有する炭化珪素半導体装置において、チャネルを短くすると、チャネル領域の不純物濃度が低い場合には短チャネル効果が発生し、チャネル領域の不純物濃度が低い場合にはクーロン散乱のためにキャリアの移動度が低下し、短チャネル効果の抑制と高移動度化を両立できないという課題があった。【解決手段】 拡散係数の異なる2種の第2導電型不純物の注入マスクを介したイオン注入、注入マスクの拡幅、第1導電型不純物のイオン注入、活性化アニールによる拡散係数の大きな第2導電型不純物の拡散により、不純物濃度が高い領域と低い領域とを有したチャネル領域を自己整合的に形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の主面上に設けられた第1導電型の炭化珪素ドリフト層と、
前記炭化珪素ドリフト層の表層部に所定の幅だけ離間して設けられた第1導電型の一対のソース領域と、
一対の前記ソース領域の間隔方向に向けて前記ソース領域より第1の幅だけ外側まで前記ソース領域より深く設けられ、第2導電型の不純物を含有する第2導電型の一対の第1ベース領域と、
一対の前記第1ベース領域の間隔方向に向けて前記第1ベース領域より第2の幅だけ外側まで設けられ、前記第1ベース領域に含有される第2導電型の不純物の濃度より低い濃度の第2導電型の不純物を含有する第2導電型の第2ベース領域と
を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 658B
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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