特許
J-GLOBAL ID：200903080866016541
改良光出力を提供する縦型半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
廣江 武典
, 武川 隆宣
, ▲高▼荒 新一
, 西尾 務
, 神谷 英昭
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-518354
公開番号（公開出願番号）：特表2008-503900
出願日： 2005年06月22日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
本発明は大きく改善された光出力の新規な縦型構造の化合物半導体装置を製造する技術を提供する。発光半導体装置の製造方法の1実施例は、発光層を形成するステップと、光出力を改善するために発光層上に起伏表面を形成するステップとを含んでいる。別実施例では方法はそれぞれの半導体装置の起伏表面上にレンズを形成するステップをさらに含んでいる。別実施例では方法は半導体構造物上に発光層と接触するコンタクトパッドを形成するステップと、それぞれの半導体装置を上方リードフレームと下方リードフレームを含んだパッケージにパッケージングするステップとをさらに含んでいる。本発明の利点には高生産効率、高性能及び高光出力を提供する半導体装置の改良製造技術が含まれる。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
発光半導体装置の製造方法であって、
発光層を形成するステップと、
光出力ビームの性質を改善すべく該発光層上に起伏表面を形成するステップと、
を含んでいることを特徴とする製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA31
, 5F041CA40
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CB14
, 5F041DA03
, 5F041DA12
, 5F041DA16
, 5F041DA25
, 5F041FF11
