耐短絡性を有する絶縁ゲ-トバイポ-ラトランジスタ-モジュ-ル

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264189
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106374
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【目的】圧力によって接続し、並列に接続された複数の独立したチップ(4)を有する絶縁ゲートバイポーラトランジスター(IGBT)モジュールにおいて、付加された層(7)が安定した短絡回路の形成を行う。【構成】薄い金属片あるいはペーストあるいは、はんだからなる層(7)が、半導体チップ(4)の主電極(5,6)の接合面に設けられる。層(7)は、例えば銀(Ag)を含み半導体の材料との間で両材料の溶融点よりも低い溶融点を持つ共晶混合物を形成する。

請求項（抜粋）：

ハウジング(1)内に基板(2)、接合ピストン(3)および2つの主電極(5,6)を有する半導体チップからなるパワー半導体モジュールであって、(a)基板(2)と電気的に接続する第1主電極(5)および接合ピストン(3)と電気的に接続する第2電極(6)(b)1つの主電極(5,6)と基板(2)あるいは接合ピストン(3)との間に設けられた導電性の層(7)とを備え、(c)その層(7)は、半導体材料との混合物もしくは合金を形成する材料を含有し、上記化合物もしくは合金の溶融点が半導体材料の溶融点以下であることを特徴とするパワー半導体モジュール。

引用特許：

審査官引用 (13件)

加圧接触型半導体装置、及びこれを用いた変換器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-104344 出願人：株式会社日立製作所
圧接型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-246927 出願人：株式会社東芝
半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-042422 出願人：株式会社日立製作所

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