特許
J-GLOBAL ID：200903081175642469
窒化物半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034969
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270968
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームが得られるレーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板の上に、窒化物半導体層を成長させてn型層、活性層、p型層を積層し、窒化物半導体層の総膜厚6μm以上とした後、エッチングすることにより、n型層の表面を露出させて共振面を作製する第1の工程と、エッチングにより連続してできた互いに対向する共振面と共振面との間であって、一方のレーザ素子の共振面と、もう一方のレーザ素子の共振面との間を分割位置とし、共振面より突出した基板を含む部分が共振面より出射されるレーザ光を遮らないように、該分割位置を一方の共振面に接近した位置に設定して、サファイア基板を分割する第2の工程とを備える。
請求項（抜粋）：
サファイア基板の上に、窒化物半導体層を成長させてn型層、活性層、p型層を積層し、窒化物半導体層の総膜厚6μm以上とした後、エッチングすることにより、n型層の表面を露出させて共振面を作製する第1の工程と、該第1の工程のエッチングにより連続してできた互いに対向する共振面と共振面との間であって、一方のレーザ素子の共振面と、もう一方のレーザ素子の共振面との間を分割位置とし、共振面より突出した基板を含む部分が共振面より出射されるレーザ光を遮らないように、該分割位置を一方の共振面に接近した位置に設定して、サファイア基板を分割する第2の工程と、を備えることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
Fターム (22件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB10
, 5F073CB20
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA22
, 5F073DA25
, 5F073DA26
, 5F073DA32
, 5F073DA33
, 5F073DA35
, 5F073EA19
