半導体装置およびこれに使用されるテープキャリア

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197816
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】従来より大幅にコスト低減を図ることができ、しかも、重要な特質であるワイヤボンディング性にも優れた半導体装置と、これに使用されるテープキャリアを提供する。【解決手段】片面に配線層2を有するポリイミドテープ1の他面に接着剤層4を介して放熱板3を貼り付け、ポリイミドテープ1に設けられたデバイスホール6から放熱板3上に半導体チップ5を搭載し、さらに、配線層2の所定の個所に半田ボール10をアレイ状に配置して構成される半導体装置において、放熱板3を平板化するとともに、ポリイミドテープ1と接着剤層4の厚さをそれぞれ125〜175μmと100〜300μmに設定する。

請求項（抜粋）：

ポリイミドテープと、前記ポリイミドテープの片面に所定のパターンを有して形成された配線層と、前記ポリイミドテープの他面に接着剤層を介して貼り付けられた放熱板と、前記ポリイミドテープに設けられたデバイスホールから前記放熱板上に搭載された半導体チップと、前記半導体チップと前記配線層の間を接続したボンディングワイヤと、前記配線層の所定の個所にアレイ状に配置された半田ボールを含み、前記放熱板は、平板状の形状を有し、前記半導体チップの高さは、前記ポリイミドテープが125〜175μmの厚さを有するとともに前記接着剤層が100〜300μmの厚さを有することによって前記配線層の高さより低く設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12 , H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 23/12 501 S , H01L 23/12 501 W , H01L 21/60 311 W

Fターム (3件)：

5F044MM03 , 5F044MM06 , 5F044MM11

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-348662 出願人：岩手東芝エレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
BGA型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-176936 出願人：日立電線株式会社
金属ベ-スを用いた半導体パッケ-ジ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-015389 出願人：日本発条株式会社

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