特許
J-GLOBAL ID：200903081703745348
半導体ウエーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150369
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312274
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 面取り加工終了時点の面取り加工面の平滑さおよび寸法の精度を損なうことなく、半導体ウエーハを製造する。【解決手段】 半導体ウエーハの製造方法において、面取り加工前にラッピングを行うことを特徴とする、半導体ウエーハの製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハの製造方法において、面取り加工前にラッピングを行うことを特徴とする、半導体ウエーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 301
, H01L 21/304 321
, H01L 21/02
H01L 21/304 301 B
, H01L 21/304 321 A
, H01L 21/02 B
