特許
J-GLOBAL ID：200903082145097667
広域エネルギーレンジ放射線検出器及び製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅村 勁樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-433694
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191440
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】従来、軟X線及び硬X線の双方に対して良好な感度を得ることは困難であった。 【解決手段】検出素子をSiとCdTeとのタンデム構造とする。また、Si基板3とCdTe基板4との間にIn(インジウム)を間挿して、一体化を図ることにより強度を高めるとともに、Si基板3により軟X線を検出し、CdTe基板4により硬X線を検出する。また、CdTe基板4側に分離帯14を設けることにより、電気的に各検出素子が分離でき、2次元画像センサとなり得る。 【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
II-VI族半導体とIV族半導体との積層構造を有し、広レンジの放射線エネルギー検出を可能にする広域エネルギーレンジ放射線検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
2G088FF02
, 2G088GG21
, 2G088JJ09
, 2G088JJ33
, 2G088JJ37
, 2G088KK18
, 5F088AA03
, 5F088AB02
, 5F088AB07
, 5F088AB09
, 5F088BA02
, 5F088BB03
, 5F088DA01
, 5F088DA11
, 5F088LA07
, 5F088LA09
出願人引用 (1件)
-
半導体に基づくX線検出装置
公報種別：公表公報
出願番号：特願平9-509915
出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク, ソシエテソフラデイール
審査官引用 (8件)
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引用文献：
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