特許
J-GLOBAL ID：200903082525341250

レジストパターンの形成方法ならびにこれを用いた微細パターンの形成方法および液晶表示素子の製造方法

発明者：
森尾 公隆

森尾 公隆 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-256746
公開番号（公開出願番号）：特開2006-072080
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 耐エッチング性および耐熱性に優れた段状のレジストパターンを形成できるようにする。【解決手段】(A)基体10上にホトレジスト被膜を形成する工程、および(B)選択的露光を含むホトリソグラフィ工程を経て、前記ホトレジスト被膜を、肉厚部r1と肉薄部r2を有する段状レジストパターンRの形状にパターニングする工程を有するレジストパターンの形成方法であって、(a)ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が8000を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(d)有機溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物を用いて前記ホトレジスト被膜を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)基体上にホトレジスト被膜を形成する工程、および(B)選択的露光を含むホトリソグラフィ工程を経て、前記ホトレジスト被膜を、肉厚部と肉薄部を有する段状レジストパターンの形状にパターニングする工程を有するレジストパターンの形成方法であって、 (a)ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が8000を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、(b)ナフトキノンジアジド基含有化合物、および(d)有機溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物を用いて前記ホトレジスト被膜を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/023 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
G03F7/023 511 ,  G03F7/40 501 ,  H01L21/30 502R ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 616K
Fターム (41件)：
2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB29 ,  2H025CB55 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA10 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA07 ,  2H096HA23 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN16 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ02
引用特許：
出願人引用 (21件)
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審査官引用 (17件)
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