特許
J-GLOBAL ID：200903082693920479

プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、半導体装置の製造方法及び電界強度分布制御装置

発明者：
尾▲崎▼ 成則

尾▲崎▼ 成則 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 飯塚 雄二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100993
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284292
出願日： 1997年04月03日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 真空容器に導入されるマイクロ波の電界強度分布を容易且つ正確に制御すること。【解決手段】 真空容器(12,14)に導入されるマイクロ波の通過範囲を規制する複数の開口部(52a,52b,52c,52d)の各々に対してマイクロ波を別々に導いている。
請求項（抜粋）：
複数の開口部によって通過範囲を規制されたマイクロ波を真空容器内に導入し、当該マイクロ波によって生成されるプラズマを用いて前記真空容器内に配置された試料に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において、前記複数の開口部の各々に対して前記マイクロ波を別々に導くことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (6件)：
H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B
引用特許：
審査官引用 (17件)
  • マイクロ波プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-202136   出願人：株式会社日立製作所
  • 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-239942   出願人：堀池靖浩, 株式会社神戸製鋼所
  • 特開平3-263321
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