特許
J-GLOBAL ID:200903082878299010

半導体チップの製造方法、面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 立石 篤司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-198856
公開番号(公開出願番号):特開2008-028139
出願日: 2006年07月21日
公開日(公表日): 2008年02月07日
要約:
【課題】1枚の基板からのチップの取れ数を従来よりも多くすることができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】主面が(1 0 0)であり、該主面を結晶方位[0 1 1]の方向に15°傾けたオフ基板(傾斜基板)上に複数の素子部が形成された半導体積層体を、へき開方向に対して45°及び135°をなす方向に延びる切断線で切断し、それぞれが9個の素子部を有する複数のチップに分割している。すなわち、複数の素子部が形成された半導体積層体を、切断面が基板のへき開面を含まないように切断している。これにより、チッピングの大きさが小さくなり、1枚の基板から取れるチップ数を従来よりも多くすることが可能となる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
主面が傾斜している基板上に複数の半導体層を積層し、半導体積層体を形成する工程と; 前記半導体積層体をエッチングし、複数の素子部を形成する工程と; 前記複数の素子部が形成された前記半導体積層体を、切断面が前記基板のへき開面を含まないように切断し、それぞれが前記複数の素子部のうち少なくとも1つの素子部を有する複数のチップに分割する工程と;を含む半導体チップの製造方法
IPC (1件):
H01S 5/183
FI (1件):
H01S5/183
Fターム (14件):
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AD02 ,  5F173AH02 ,  5F173AH13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP67 ,  5F173AP91 ,  5F173AR94
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る