特許
J-GLOBAL ID：200903079594526717
半導体発光素子および面発光レーザおよび面発光レーザアレイおよび画像形成装置および光ピックアップシステムおよび光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307669
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120884
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 量子井戸活性層へのキャリア閉じ込めが充分に行われ、利得が大きく、温度特性が良好であって、低しきい値,高出力で、更には信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaAs基板上に、下部クラッド層と、下部光ガイド層と、活性層と、上部光ガイド層と、上部クラッド層とが形成された半導体発光素子において、前記活性層は、GacIn1-cPdAs1-d(0<c<1、0≦d≦1)圧縮歪量子井戸活性層と、GaeIn1-ePfAs1-f(0<e≦1、0≦f≦1)引っ張り歪障壁層とを有し、下部クラッド層と上部クラッド層のうちの少なくとも一方のクラッド層の少なくとも一部には、活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きい(AlaGa1-a)bIn1-bP(0<a≦1、0<b<1)層が用いられ、また、前記障壁層の歪量の絶対値が量子井戸活性層の歪量の絶対値よりも大きいことを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、下部クラッド層と、下部光ガイド層と、活性層と、上部光ガイド層と、上部クラッド層とが形成された半導体発光素子において、前記活性層は、GacIn1-cPdAs1-d(0<c<1、0≦d≦1)圧縮歪量子井戸活性層と、GaeIn1-ePfAs1-f(0<e≦1、0≦f≦1)引っ張り歪障壁層とを有し、下部クラッド層と上部クラッド層のうちの少なくとも一方のクラッド層の少なくとも一部には、活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きい(AlaGa1-a)bIn1-bP(0<a≦1、0<b<1)層が用いられ、また、前記障壁層の歪量の絶対値が量子井戸活性層の歪量の絶対値よりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/343
, H01S 5/183
, H01S 5/42
H01S5/343
, H01S5/183
, H01S5/42
5F173AA08
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AD05
, 5F173AF05
, 5F173AF33
, 5F173AH13
, 5F173AP09
, 5F173AR14
, 5F173AR23
, 5F173AR75
, 5F173AR96
出願人引用 (3件)
審査官引用 (11件)
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