特許
J-GLOBAL ID：200903083046144617
荷電粒子マスク欠陥修正装置によるフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068077
公開番号（公開出願番号）：特開2004-279539
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】イオンビームを用いたマスク欠陥修正や電子ビームを用いたマスク欠陥修正に対して、ハロー成分や再付着のない高品位なフォトマスクの欠陥修正を可能にする。【解決手段】イオンビームまたは電子ビームを用いたマスク欠陥修正装置で修正した個所およびその周辺を原子間力顕微鏡または近接型光学顕微鏡のシアフォースモードで観察する。観察によって得られた情報に基づいて探針高さと位置を高精度に制御してハロー成分や再付着や付着といったイオンビームまたは電子ビームを用いたマスク欠陥修正装置で修正した個所3周辺のマスクパターン1上やガラス基板上2に生じた好ましくない個所4をそれらの物質よりも硬い原子間力顕微鏡の探針5で物理的に削り取るか、DUVあるいはVUV光源7をもつ近接場光学顕微鏡の開口型探針6先端のエバエッセント光のアブレーションで除去する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
イオンビームを用いたフォトマスク欠陥修正装置で黒欠陥修正した時に生成する再付着を該再付着物質よりも硬い原子間力顕微鏡の探針で削り取ることを特徴とする欠陥修正個所の二次処理方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
2H095BD32
, 2H095BD33
, 2H095BD35
, 2H095BD36
