特許
J-GLOBAL ID：200903083118093478

半導体ウェーハとそれを用いた半導体素子及びウェーハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージ並びに半導体素子の製造方法

発明者：
佐々木 正治

佐々木 正治 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-052988
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237471
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 半導体チップの周縁部にチッピング、ひび割れ、バリ等が発生する虞の無い半導体ウェーハとそれを用いた半導体素子及びWLCSP並びに半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体ウェーハは、シリコン基板21の表面21aにスクライブ領域22により区画された複数の集積回路形成領域23、23を有し、これら集積回路形成領域23、23各々には集積回路24が形成され、これらの集積回路24、24を含む表面21a上には樹脂封止層25が形成され、シリコン基板21の裏面21bかつスクライブ領域22に対応する位置には、スクライブ領域22に形成される切断溝の幅wより幅広の溝26が形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上にスクライブ領域により区画された複数の集積回路形成領域を有し、これらの集積回路形成領域それぞれに集積回路部を形成し、これらの集積回路部を含む前記一主面上に有機高分子化合物からなる封止層を形成してなる半導体ウェーハであって、 前記半導体基板の他の一主面の前記スクライブ領域に対応する領域に、このスクライブ領域より幅広の溝を形成してなることを特徴とする半導体ウェーハ。
IPC (1件)：
H01L 21/301
FI (2件)：
H01L21/78 R ,  H01L21/78 Q
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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