特許
J-GLOBAL ID：200903083179834624

半導体装置

発明者：
石切山 衛

石切山 衛 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について

, 
宮崎沖電気株式会社

宮崎沖電気株式会社 について


代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-084142
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244236
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】基板接続部を有するトランジスタにおいて、素子サイズを大きくせずにソース領域と基板との間の抵抗を効果的に低減する。【解決手段】ソース領域10Aの高密度拡散層12とソース配線14とを接続するための複数のコンタクト15の内で、N個(図では2個)に1個の割合で選択されたコンタクト15が基板1の高密度拡散層12に接続する箇所に、基板と同じ導電型で高濃度の不純物を基板本体に達するように拡散して基板接続部13Aを形成する。このとき、基板接続部13Aを、側面がゲート領域20との境界線に対して45度の角度を有する正四角柱状に形成する。これにより、正四角柱状の基板接続部を境界線に平行に形成した場合に比べ、基板接続部とゲート電極に挟まれたソース領域の抵抗を減少させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に第2導電型不純物を拡散して形成された第1電極領域と、前記第1電極領域からゲート領域を隔てて前記半導体基板上に第2導電型不純物を拡散して形成された第2電極領域と、前記半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層と介在させて前記第1電極領域上に形成された電極配線と、前記第1電極領域と前記ゲート領域との境界線に平行して一定の間隔で1列に配置され、前記電極配線から前記絶縁層を貫通して前記第1電極領域の第2導電型不純物拡散領域に接続する複数のコンタクトと、前記複数のコンタクトの内でN個(但し、Nは2以上の整数)に1個の割合で選択されたコンタクトが前記半導体基板の第1電極領域に接続する箇所に、高濃度の第1導電型不純物を該半導体基板本体に達するように拡散して形成された複数の基板接続部とを有する半導体装置において、 前記複数の基板接続部は、側面が前記第1電極領域と前記ゲート領域との境界線に対して斜めの角度を有する正四角柱状に形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/78
FI (1件)：
H01L29/78 301S
Fターム (8件)：
5F140AA17 ,  5F140BF47 ,  5F140BH02 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH34 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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