半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：北野好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-397856
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198526
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】デュアルゲート電極を有する半導体装置の製造方法に関し、N型MOSトランジスタの能力を劣化することなくP型ゲート電極からのボロンの熱抜けを防止する。【解決手段】半導体基板10上にゲート絶縁膜14を形成する工程と、ゲート絶縁膜14上にボロンを含む半導体層22を形成する工程と、半導体層22上に堆積直後における膜中のSi-H結合の濃度がFT-IR測定による測定濃度で4.3×1020cm-3以下であるシリコン窒化膜28を形成する工程と、シリコン窒化膜28及び半導体層22をパターニングし、上面がシリコン窒化膜28により覆われた半導体層22よりなるゲート電極30を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に、少なくとも一部の領域においてアクセプタ不純物としてボロンを含む半導体層を有する導電層を形成する工程と、前記導電層上に、堆積直後における膜中のSi-H結合の濃度が、FT-IR測定による測定濃度で4.3×1020cm-3以下であるシリコン窒化膜を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記導電層をパターニングし、上面が前記絶縁膜により覆われた前記導電層よりなるゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D , H01L 27/08 321 E , H01L 29/78 301 L

Fターム (43件)：

5F040DA06 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC02 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040ED03 , 5F040EF02 , 5F040EK05 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FA10 , 5F040FA18 , 5F040FB02 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BG01 , 5F048BG14 , 5F048DA19 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF02 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF38 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF64 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F058BJ07

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-340397 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-144391 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-310463 出願人：松下電子工業株式会社

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