特許
J-GLOBAL ID：200903083703768480
縦構造半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
廣江 武典
, 武川 隆宣
, ▲高▼荒 新一
, 西尾 務
, 神谷 英昭
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-510978
公開番号（公開出願番号）：特表2007-536725
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
本発明は、光出力が大きく改善された新規な縦構造の化合物半導体装置と、GaNベース化合物半導体装置の大量生産のためのレーザーリフトオフプロセスとを提供する。本発明の主目的は、n型上面の縦構造物を構築するために、LLOに先行して電気メッキ法により直接的に金属支持基板を被膜させるステップを採用することである。さらに、ITOのDBR層をp型コンタクト層に接して提供し、さらに高い反射性によって光出力を増強させた。新製造プロセスは従来のLLOベース縦型装置製造法と比較して信頼できるプロセスである。n型上面構造を有した新規な縦型装置の光出力は、同じGaN/InGaNエピタキシャル膜を有した横型装置のものより2倍から3倍増加した。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法であって、
基板上に複数の半導体層を形成するステップと;
前記半導体層上に複数の金属層を形成するステップと;
前記半導体層から前記基板を取り除くステップと;
前記基板が取り除かれた前記半導体層上に1以上の電気コンタクトを形成するステップと;
前記半導体層を複数の個別半導体装置に分割するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041AA04
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
