特許
J-GLOBAL ID：200903083718604689

半導体デバイスを洗浄するための水性リン酸組成物

発明者：
ダヴィオット,ジェローム

ダヴィオット,ジェローム について

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レイド,クリストファー

レイド,クリストファー について

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ホームズ,ダグラス

ホームズ,ダグラス について


出願人/特許権者：
イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド

イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド について


代理人 (5件)： 小林 浩 ,  片山 英二 ,  小林 純子 ,  黒田 薫 ,  大森 規雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-501654
公開番号（公開出願番号）：特表2006-503972
出願日： 2003年10月21日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
本発明は、リン酸を含有する希釈水溶液及びそのような希釈水溶液を含む、半導体基板からプラズマエッチ残留物を除去する方法に関する。本発明による溶液は、アルカリ化合物、1又はそれ以上の他の酸化合物、及び/又はフルオリド含有化合物を好ましくは含有し、場合により追加の成分、たとえば有機溶媒、キレート剤、アミン、及び/又は界面活性剤を含有する。
請求項（抜粋）：
水性半導体洗浄液であって: 少なくとも約75重量%の水と; 約0.5重量%から約10重量%までのリン酸と; 第4級アンモニウムヒドロキシド;構造式:
IPC (7件)：
C11D 17/08 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/16 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/36 ,  H01L 21/304
FI (7件)：
C11D17/08 ,  C11D7/08 ,  C11D7/16 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  H01L21/304 647A
Fターム (12件)：
4H003DA15 ,  4H003EA03 ,  4H003EA04 ,  4H003EA22 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003EB09 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB19 ,  4H003EB22 ,  4H003EB38
引用特許：
審査官引用 (7件)
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