青色発光Si:SiO2膜とそれを具備した青色発光素子ならびに青色発光Si:SiO2膜の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-246686
公開番号（公開出願番号）：特開2004-083740
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】アニール処理なしの非常に簡単なプロセスで得られる高強度の新しい発光Si:SiO2膜を提供する。【解決手段】SiとSiO2のターゲットを用い、SiO2中にSiが膜全体に対する体積比率で0.75%以上4.5%以下の割合となるようにSiとSiO2の同時スパッタリングを行い、基板上に青色発光Si:SiO2膜を形成する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

SiO2中にSiが膜全体に対する体積比率で0.75%以上4.5%以下の割合で含有され、青色領域に発光ピークを有することを特徴とする青色発光Si:SiO2膜。

IPC (6件)：

C09K11/59 , C09K11/00 , C09K11/08 , C23C14/10 , C23C14/34 , H01L33/00

FI (6件)：

C09K11/59 , C09K11/00 A , C09K11/08 A , C23C14/10 , C23C14/34 C , H01L33/00 A

Fターム (15件)：

4H001CA01 , 4H001CC05 , 4H001XA08 , 4H001XA14 , 4H001YA14 , 4K029AA08 , 4K029AA24 , 4K029BA46 , 4K029CA05 , 4K029DC15 , 4K029DC25 , 5F041AA14 , 5F041CA46 , 5F041CA52 , 5F041CA67

引用特許：

審査官引用 (7件)

シリコン系発光材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-235785 出願人：株式会社東芝
発光型表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-280369 出願人：カシオ計算機株式会社
ルミネッセンスシリコン材料及びその形成方法及びルミネッセンス基材の処理方法及びエレクトロルミネッセンスデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-063756 出願人：ユニバーシティオブサリー

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