特許
J-GLOBAL ID:200903083859125385

セラミック回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-302950
公開番号(公開出願番号):特開2001-127384
出願日: 1999年10月25日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】セラミック基板と金属回路板の熱膨張係数の相違に起因してセラミック基板に割れが発生する。【解決手段】セラミック基板1の上面に金属回路板3を取着して成るセラミック回路基板であって、前記セラミック基板1の上面より該セラミック基板1の厚みの1/3以内内側の距離Aの位置にメタライズ層4を配設し、かつメタライズ層4の外周を前記金属回路板3の外周より距離A小さい領域よりも大きくした。
請求項(抜粋):
セラミック基板の上面に金属回路板を取着して成るセラミック回路基板であって、前記セラミック基板の上面より該セラミック基板の厚みの1/3以内内側の距離Aの位置にメタライズ層を配設し、かつメタライズ層の外周を前記金属回路板の外周より距離A小さい領域よりも大きくしたことを特徴とするセラミック回路基板。
Fターム (5件):
5E338AA18 ,  5E338BB72 ,  5E338CC01 ,  5E338CD03 ,  5E338EE28
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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