特許
J-GLOBAL ID：200903083927392028
半導体素子搭載用基板キャリアー及びこれを用いた半 導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-201427
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031319
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 放熱性に優れた半導体素子搭載用基板キャリアー及びこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体素子搭載用基板キャリアーは、エリアアレイタイプの半導体装置に用いる半導体素子搭載用の基板キャリアーであって、内部に少なくとも1個の貫通孔が形成されている金属平板をコア層とし、このコア層の両側に、少なくともそれぞれ1層ずつの電気的絶縁性の樹脂からなる絶縁層と、導体配線が形成されている配線層と、を備え、当該導体配線のうちの一部は、金属コア層に形成された貫通孔内の絶縁層に形成された導通孔を通じ互いに直接的に金属コア層の両面で通じており、また、当該導体配線のうちの一部は、当該金属コア層上に形成された導通孔により電気的に金属コア層と接続している、ことを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、当該基板キャリアーを用いた半導体装置にある。
請求項（抜粋）：
エリアアレイタイプの半導体装置に用いる半導体素子搭載用の基板キャリアーであって、内部に少なくとも1個の貫通孔が形成されている金属平板をコア層とし、このコア層の両側に、少なくともそれぞれ1層ずつの電気的絶縁性の樹脂からなる絶縁層と、導体配線が形成されている配線層と、を備え、当該導体配線のうちの一部は、金属コア層に形成された貫通孔内の絶縁層に形成された導通孔を通じ互いに直接的に金属コア層の両面で通じており、また、当該導体配線のうちの一部は、当該金属コア層上に形成された導通孔により電気的に金属コア層と接続している、ことを特徴とする半導体装置に用いる半導体素子搭載用基板キャリアー。
引用特許：
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