特許
J-GLOBAL ID：200903084309953317

電子部品用Snめっき材

発明者：
長野 真之

長野 真之 について


出願人/特許権者：
日鉱金属株式会社

日鉱金属株式会社 について


代理人 (1件)： アクシス国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-271391
公開番号（公開出願番号）：特開2009-097050
出願日： 2007年10月18日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】コネクタや端子等の電子部品の導電性ばね材として好適な、Cu/Ni二層下地めっきリフローSnめっき材について、耐熱性を向上させるためNi相中の酸素濃度を適度に制御することにより高温環境下における接触抵抗の経時劣化を改善する技術を提供する。【解決手段】コネクタや端子等の各種電子部品の要求特性に従って適宜選択された銅又は銅合金の表面に、Ni、Cu、Snをこの順に電気めっきした後、リフロー処理を行い、Ni相、Cu-Sn合金相及びSn相からなる各めっき相をこの順に形成させたSnめっき材であって、Niめっき相中の酸素濃度が0.3〜1.5質量%であるSnめっき材。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
銅又は銅合金の表面にNi相、Cu相、Cu-Sn合金相及びSn相の各めっき相がこの順に形成されているSnめっき材であって、Ni相の平均厚みが0.1〜1.0μm、Cu相の平均厚みが0〜0.2μm、Cu-Sn合金相の平均厚みが0.1〜1.5μm、Sn相の平均厚みが0.1〜1.5μmであり、Niめっき相中の酸素濃度が0.3〜1.5質量%であるSnめっき材。
IPC (4件)：
C25D 5/12 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/00 ,  H01R 13/03
FI (4件)：
C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 H ,  H01R13/03 D
Fターム (9件)：
4K024AA03 ,  4K024AA07 ,  4K024AA09 ,  4K024AA21 ,  4K024AB03 ,  4K024AB04 ,  4K024BA09 ,  4K024BB10 ,  4K024DB02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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