特許
J-GLOBAL ID：200903084652165553

フィルタ機能付き光センサ及び火炎センサ

発明者：
平野 光

平野 光 について

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上山 智

上山 智 について

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天野 浩

天野 浩 について

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赤▲崎▼ 勇

赤▲崎▼ 勇 について


出願人/特許権者：
大阪瓦斯株式会社

大阪瓦斯株式会社 について


代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-082589
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296458
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】長期間にわたって安定した光学特性を保持することのできるフィルタ装置を提供し、それを用いた光センサを提供する。【解決手段】フィルタ装置1と受光装置2とを備えてなるフィルタ機能付き光センサであって、フィルタ装置1を構成する、複数の光透過層が積層されてなる第1干渉フィルタ構造が、色ガラスフィルタの表面上に堆積され、受光装置2が、単数または複数の半導体層を有する半導体受光素子構造を備え、半導体受光素子構造中の単数または複数の半導体層に受光領域が形成され、受光領域の形成に係る単数または複数の半導体層がInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦0.21、0≦y≦1)を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
色ガラスフィルタを備え、検出対象波長範囲を含む所定の波長範囲の光を透過させるフィルタ装置と、前記フィルタ装置を透過した光を受光する受光装置とを備えてなるフィルタ機能付き光センサであって、 前記フィルタ装置を構成する、複数の光透過層が積層されてなる第1干渉フィルタ構造が、前記色ガラスフィルタの表面上に堆積され、 前記受光装置が、単数または複数の半導体層を有する半導体受光素子構造を備え、前記半導体受光素子構造中の単数または複数の半導体層に受光領域が形成され、前記受光領域の形成に係る前記単数または複数の半導体層がInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦0.21、0≦y≦1)を含むフィルタ機能付き光センサ。
IPC (3件)：
H01L31/0232 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10
FI (4件)：
H01L31/02 D ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 D ,  H01L27/14 K
Fターム (21件)：
4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA01 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118GA10 ,  4M118GC01 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NB10 ,  5F049TA13 ,  5F049TA20 ,  5F049WA03 ,  5F088AA01 ,  5F088AB07 ,  5F088BB10 ,  5F088JA07 ,  5F088JA13 ,  5F088JA20 ,  5F088LA03
引用特許：
審査官引用 (10件)
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