特許
J-GLOBAL ID：200903084797376480

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置

発明者：
永瀬 俊彦

永瀬 俊彦 について

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吉川 将寿

吉川 将寿 について

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北川 英二

北川 英二 について

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中山 昌彦

中山 昌彦 について

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甲斐 正

甲斐 正 について

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岸 達也

岸 達也 について

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與田 博明

與田 博明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (21件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-163742
公開番号（公開出願番号）：特開2008-283207
出願日： 2008年06月23日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】メモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を保ち、大容量化を実現する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、スピン偏極したスピン偏極電子を磁性体に流すことで情報が記録される磁気抵抗効果素子であって、磁性材料からなり、膜面に対して垂直方向に向く第1の磁化を有する固定層12と、磁性材料からなり、膜面に対して垂直方向に向く第2の磁化を有し、スピン偏極電子の作用により第2の磁化の方向が反転可能な記録層11と、固定層と記録層との間に設けられ、固定層に対向する第1の面と記録層に対向する第2の面とを有する非磁性層TBと、非磁性層の第1の面と固定層との間に設けられ、Fe、Co、Niのうち1つ以上の元素を含む第1の磁性金属層18と、非磁性層の第2の面と記録層との間に設けられ、Fe、Co、Niのうち1つ以上の元素を含む第2の磁性金属層19とを具備し、第2の磁性金属層の膜厚は、第1の磁性金属層の膜厚より薄い。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
スピン偏極したスピン偏極電子を磁性体に流すことで情報が記録される磁気抵抗効果素子であって、 磁性材料からなり、膜面に対して垂直方向に向く第1の磁化を有する第1の固定層と、 磁性材料からなり、膜面に対して垂直方向に向く第2の磁化を有し、前記スピン偏極電子の作用により前記第2の磁化の方向が反転可能な記録層と、 前記第1の固定層と前記記録層との間に設けられ、前記第1の固定層に対向する第1の面と前記記録層に対向する第2の面とを有する第1の非磁性層と、 前記第1の非磁性層の前記第1の面と前記第1の固定層との間に設けられ、Fe、Co、Niのうち1つ以上の元素を含む第1の磁性金属層と、 前記第1の非磁性層の前記第2の面と前記記録層との間に設けられ、Fe、Co、Niのうち1つ以上の元素を含む第2の磁性金属層と を具備し、 前記第2の磁性金属層の膜厚は、前記第1の磁性金属層の膜厚より薄いことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01L 29/82
FI (5件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 M ,  H01L29/82 Z
Fターム (54件)：
4M119AA01 ,  4M119AA03 ,  4M119AA08 ,  4M119AA10 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE13 ,  4M119EE14 ,  4M119EE20 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119KK04 ,  4M119KK18 ,  5F092AA08 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC46 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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