プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-241730
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079465
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】所望の密度分布を有するプラズマを容易に形成することができるプラズマ生成装置の提供。【解決手段】プラズマ生成部1のプラズマ室3内のプラズマ生成領域に、誘電体ブロック6を配設する。プラズPは誘電体ブロック6の占有する領域に存在することができないので、誘電体ブロック6を避けるようにドーナツ状に分布する。このプラズマP中のイオンはグリッドGにより引き出され、イオンビーム束IBとして基板Sに照射される。このように、誘電体ブロック6を用いてプラズマPの密度分布をドーナツ状とすることにより、基板Sを均一にエッチングすることができる。また、誘電体ブロック6の配設位置を変えることによって、プラズマPの分布形状を変更することができ、エッチング分布を調整できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマが形成されるプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室内のプラズマ生成領域に配設されて、プラズマ分布密度を調整する誘電体ブロックとを備えたことを特徴とするプラズマ生成装置。

IPC (8件)：

H05H1/46 , B01J19/08 , C23C14/46 , C23C16/507 , H01J27/16 , H01J37/08 , H01L21/205 , H01L21/302

FI (8件)：

H05H1/46 L , B01J19/08 H , C23C14/46 Z , C23C16/507 , H01J27/16 , H01J37/08 , H01L21/205 , H01L21/302 201B

Fターム (35件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BC02 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075BD14 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075CA65 , 4G075DA02 , 4G075EB01 , 4G075EB41 , 4G075EC21 , 4G075EE02 , 4G075EE31 , 4G075FB04 , 4G075FC15 , 4K029DC00 , 4K029DC37 , 4K029EA00 , 4K030FA04 , 4K030HA12 , 4K030JA13 , 4K030KA30 , 4K030KA34 , 5C030DE01 , 5F004AA01 , 5F004BA11 , 5F004BB17 , 5F004BB24 , 5F045AA19 , 5F045BB02 , 5F045DP28 , 5F045EH18 , 5F045EM10

引用特許：

審査官引用 (9件)

銅薄膜のプラズマエッチング法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-111866 出願人：ソニー株式会社
マイクロ波プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249589 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理リアクタでの一様性プロファイルを制御するための電極設計
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-163607 出願人：バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド

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