特許
J-GLOBAL ID：200903085314529155
ゲート電荷が低いトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-546406
公開番号（公開出願番号）：特表2005-510087
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
トレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタデバイスは、(a)第1の伝導性(好ましくは、n型伝導性)を有するシリコン製の基板(200)と、(b)基板上に形成され、第1の伝導性を有し、基板より低い多数キャリア濃度を有するシリコン製のエピタキシャル層(202)と、(c)エピタキシャル層の上部内に形成された、第2の伝導性(好ましくは、p型伝導性)を有するボディ領域(204)と、(d)エピタキシャル層の表面から、デバイスのボディ領域を貫通してエピタキシャル層内に延び、トレンチ側壁及びトレンチ底部を有するトレンチ(206)と、(f)トレンチの内部に形成され、少なくともトレンチ底部を覆う下側部分(210d)と、トレンチ側壁の少なくとも上部領域を覆う上側部分とを有する酸化領域(210t)と、(g)トレンチ内において、酸化領域に隣接する導電領域(211g)と、(h)ボディ領域の上部であってトレンチに隣接する部分に形成された、第1の伝導性を有するソース領域(212)とを備える。酸化領域の下側部分(210d)は、酸化領域の上側部分より厚く形成されている。
請求項（抜粋）：
第1の伝導性を有するシリコン製の基板と、
上記基板上に形成され、上記第1の伝導性を有し、上記基板より低い多数キャリア濃度を有するシリコン製のエピタキシャル層と、
上記エピタキシャル層の上部内に形成された、第2の伝導性を有するボディ領域と、
上記エピタキシャル層の表面から、上記ボディ領域を貫通して該エピタキシャル層内に延び、トレンチ側壁及びトレンチ底部を有するトレンチと、
上記トレンチの内部に形成され、少なくとも上記トレンチ底部を覆う下側部分と、上記トレンチ側壁の少なくとも上部領域を覆う上側部分とを有する酸化領域と、
上記トレンチ内において、上記酸化領域に隣接する導電領域と、
上記ボディ領域の上部であって上記トレンチに隣接する部分に形成された、上記第1の伝導性を有するソース領域とを備え、
上記酸化領域の下側部分は、該酸化領域の上側部分より厚く、上記トレンチ側壁に沿った上記導電領域に隣接する上記酸化領域に段差が形成されていることを特徴とするトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタデバイス。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652K
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658F
