成膜方法及び成膜装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-035298
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222318
出願日： 2005年02月10日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】多元系金属酸化物膜を形成するに際して、含有元素の組成比や膜厚等の再現性を向上させることが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】複数の有機金属原料を気化させて発生した有機金属原料ガスを真空引き可能になされた処理容器4内へ供給し、被処理体Wの表面に多元系金属酸化物膜を形成するようにした成膜方法において、前記被処理体に対する成膜処理を開始する直前に、前記処理容器4内にダミー被処理体を搬入して前記有機金属原料ガスを流すことにより少なくとも3回分相当のダミー成膜処理を行うようにする。これにより、多元系金属酸化物膜を形成するに際して、含有元素の組成比や膜厚等の再現性を向上させることが可能となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数の有機金属原料を気化させて発生した有機金属原料ガスを真空引き可能になされた処理容器内へ供給し、被処理体の表面に多元系金属酸化物膜を形成するようにした成膜方法において、前記被処理体に対する成膜処理を開始する直前に、前記処理容器内にダミー被処理体を搬入して前記有機金属原料ガスを流すことにより少なくとも3回分相当のダミー成膜処理を行うようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/316 X , C23C16/40 , H01L21/31 B

Fターム (30件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045DC63 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EK14 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BE10 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (4件)

処理装置及びその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-354476 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
成膜装置及びその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-329857 出願人：東京エレクトロン株式会社, 富士電機株式会社
CVD成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-354603 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (4件)

MOCVD装置のバブラー交換方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-361099 出願人：ローム株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-302207 出願人：日本電気株式会社
プラズマ処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-020904 出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ

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