特許
J-GLOBAL ID：200903085837342598
固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-106900
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166677
出願日： 2007年04月16日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】光導波路を設けてもより簡単な工程で製造可能な固体撮像装置とその製造方法並びにカメラを提供する。【解決手段】半導体基板(10)の受光面となる画素領域RPXにおいて画素ごとに区分されたフォトダイオードPDとこれに生成及び蓄積される信号電荷または信号電荷に応じた電圧を読み取る信号読み取り部が形成されており、フォトダイオードを被覆して半導体基板上に絶縁膜(15〜17,20〜22,25〜27,30,31,33)が形成され、フォトダイオードの上方部分において絶縁膜に凹部Hが形成されており、パッド電極領域RPADにおいて絶縁膜の上層にパッド電極32が形成されており、凹部の内壁を被覆してパッド電極よりも上層に高屈折率のパッシベーション膜36が形成され、パッシベーション膜の上層において凹部に埋め込まれて高屈折率の埋め込み層37が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
受光面に複数の画素が集積されてなる固体撮像装置であって、
半導体基板の前記受光面となる画素領域において前記画素ごとに区分して形成されたフォトダイオードと、
前記半導体基板に形成され、前記フォトダイオードに生成及び蓄積される信号電荷または前記信号電荷に応じた電圧を読み取る信号読み取り部と、
前記フォトダイオードを被覆して前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記フォトダイオードの上方部分において前記絶縁膜に形成された凹部と、
パッド電極領域において前記絶縁膜の上層に形成されたパッド電極と、
前記凹部の内壁を被覆し、かつ、前記パッド電極よりも上層に形成され、酸化シリコンよりも高い屈折率を有するパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の上層において前記凹部に埋め込まれて形成され、酸化シリコンよりも高い屈折率を有する埋め込み層と
を有することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 D
, H01L27/14 A
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118CA32
, 4M118CA34
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118EA18
, 4M118FA33
, 4M118GA09
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 4M118HA30
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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