特許
J-GLOBAL ID：200903086341017952

配線基板およびその製造方法

発明者：
鬼谷 正光

鬼谷 正光 について

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山田 成樹

山田 成樹 について

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吉原 安彦

吉原 安彦 について

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石田 政信

石田 政信 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363432
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188453
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】アルミナセラミックスからなる絶縁基板と同時焼成によって形成され、銅を含有する低抵抗の表面電気回路用のメタライズ層と、絶縁基板と高い接着強度を有する接合用メタライズ層とを兼備した配線基板を提供する。【解決手段】アルミナセラミックスからなる相対密度が95%以上の絶縁基板1と、絶縁基板1の表面および/または内部に銅を10〜70体積%、タングステンおよび/またはモリブデンを30〜90体積%の割合で含有する電気回路用の第1のメタライズ層と、絶縁基板1の表面にタングステンおよび/またはモリブデンを50体積%以上含有し、鉄族金属を酸化物換算で0.1〜5体積%、酸化アルミニウムを0〜45体積%の割合で含有してなる蓋体4を封止するための封止用メタライズ層5や、リードピン6などを接続する接続パッド用メタライズ層7としての第2のメタライズ層を形成する。
請求項（抜粋）：
アルミナセラミックスからなる相対密度が95%以上の絶縁基板と、該絶縁基板の表面および/または内部に銅を10〜70体積%、タングステンおよび/またはモリブデンを30〜90体積%の割合で含有する第1のメタライズ層と、前記絶縁基板の表面にタングステンおよび/またはモリブデンを50体積%以上含有し、鉄族金属を酸化物換算で0.1〜5体積%、酸化アルミニウムを0〜45体積%の割合で含有してなる第2のメタライズ層を具備することを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
H05K 1/09 ,  H05K 3/46
FI (3件)：
H05K 1/09 B ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T
Fターム (35件)：
4E351AA07 ,  4E351AA08 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351BB35 ,  4E351CC22 ,  4E351CC33 ,  4E351DD04 ,  4E351DD17 ,  4E351DD31 ,  4E351DD52 ,  4E351EE02 ,  4E351GG01 ,  4E351GG04 ,  4E351GG06 ,  5E346AA02 ,  5E346AA15 ,  5E346CC17 ,  5E346CC35 ,  5E346CC36 ,  5E346DD03 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE21 ,  5E346FF18 ,  5E346FF22 ,  5E346FF28 ,  5E346GG04 ,  5E346GG06 ,  5E346GG15 ,  5E346GG19 ,  5E346GG28 ,  5E346HH05 ,  5E346HH17 ,  5E346HH31
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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