特許
J-GLOBAL ID：200903087558711225
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-150726
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333009
出願日： 2004年05月20日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 半田ボールと導電膜との間で界面破断を抑制する。【解決手段】 絶縁樹脂層105と接触する面における半田ボール108の端部とビア104の上部周縁との間の距離をaとし、UBM膜107の端部とビア104の上部周縁との間の距離をbとしたとき、0<a/b≦2を満たすようにする。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
配線と、
該配線上に設けられ、前記配線に到達する孔の設けられた絶縁膜と、
前記孔の底部において前記配線に接するとともに前記孔の底部から前記孔の外部にわたって形成された導電膜と、
前記導電膜および前記絶縁膜に接して設けられた半田ボールと、
を備え、
前記絶縁膜と接触する面における半田ボールの端部と前記孔の上部周縁との間の距離をaとし、前記孔の深さをbとしたとき、a/bの値が2以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/92 602H
, H01L21/92 602K
, H01L21/92 603G
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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