特許
J-GLOBAL ID：200903026930008081
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-247847
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218152
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 微細なピッチの電極部に対してバンプを高精度に形成することができ、且つ、接続対象物との間で良好な接続信頼性を達成することが可能な半導体装置を得るための、半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、電極部11を有する半導体基板10に対して、電極部11を覆うように樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、樹脂膜に対して、電極部11に対応する位置に開口部を形成する開口部形成工程と、開口部にバンプ形成材料を供給する供給工程と、加熱処理を行うことにより、開口部にバンプ41を形成するバンプ形成工程と、樹脂膜を除去する除去工程とを行う。
請求項（抜粋）：
電極部を有する半導体基板に対して、前記電極部を覆うように樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、前記樹脂膜に対して、前記電極部に対応する位置に開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部にバンプ形成材料を供給する供給工程と、加熱処理を行うことにより、前記開口部にバンプを形成するバンプ形成工程と、前記樹脂膜を除去する除去工程と、を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
FI (4件)：
H01L 21/92 604 M
, H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 604 E
, H01L 21/92 604 B
