特許
J-GLOBAL ID：200903087684251698

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者：
青木 誠志

青木 誠志 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-153128
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318424
出願日： 2002年04月18日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【目的】 基板上に裏面電極を形成し、その裏面電極上にプリカーサ膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極を形成するようにした薄膜太陽電池を製造するに際して、エネルギー変換効率を向上させるべく、熱処理時に効率良く効果的に光吸収層にアルカリ元素を拡散させることができるようにする。【構成】 アルカリ成分を含む基板と裏面電極とプリカーサ膜との間に設けられたアルカリ層とからそれぞれアルカリ元素を光吸収層に拡散させるようにした薄膜太陽電池の製造方法。
請求項（抜粋）：
アルカリ成分を含む基板上に裏面電極を形成し、その裏面電極上にプリカーサ膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極を形成するようにした薄膜太陽電池の製造方法にあって、裏面電極とプリカーサ膜との間にアルカリ層を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製するに際して基板およびアルカリ層からそれぞれアルカリ元素を光吸収層に拡散させるようにしたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
Fターム (7件)：
5F051AA10 ,  5F051BA14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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