特許
J-GLOBAL ID：200903088030894103

半導体集積回路装置

発明者：
北出 修

北出 修 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010234
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208716
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 動作モード設定の確実性と自由度とを向上することが可能な半導体集積回路装置の構成を提供する。【解決手段】 半導体記憶装置1100は、動作モードを決定するための動作モード設定回路100を備える。動作モード設定回路100は、動作モード制御回路110と動作モード変更回路120とを含む。動作モード制御回路110は、外部入力パッドPAD1〜nに施されたワイヤーボンディングに応じて動作モード設定信号を発生する。動作モード変更回路120は、ヒューズ入力パッドFPD1〜mと、電気ヒューズ125-1〜mと、動作モード反転回路121とを含む。動作モード反転回路121は、各電気ヒューズの状態に応じて、一旦定められた動作モード設定信号を反転する。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路装置であって、動作条件設定信号によって2つの動作条件のいずれかに基づいて動作する内部回路と、前記動作条件設定信号を発生する動作条件設定手段とを備え、前記動作条件設定手段は、第1の外部入力端子と、前記第1の外部入力端子と所定の電位との結合の有無に応じて、前記2つの動作条件のいずれか一方を選択する前記動作条件設定信号を生成する内部制御信号生成手段と、前記第1の外部入力端子と前記所定の電位との結合の有無とは独立して外部から与えられる電気信号により、前記動作条件の変更を選択的かつ不揮発的に設定可能な動作条件変更手段とを含む、半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G11C 11/401 ,  G11C 29/00 671 ,  H01L 21/82
FI (6件)：
H01L 27/04 M ,  G11C 29/00 671 T ,  G11C 11/34 362 C ,  G11C 11/34 371 K ,  G11C 11/34 371 A ,  H01L 21/82 F
Fターム (16件)：
5B024AA15 ,  5B024BA21 ,  5B024CA07 ,  5B024CA21 ,  5B024EA04 ,  5F038AV13 ,  5F038AV15 ,  5F038CA03 ,  5F038DF05 ,  5F038DF16 ,  5F038DT02 ,  5F064BB12 ,  5F064FF08 ,  5F064FF27 ,  5L106AA01 ,  5L106GG05
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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