特許
J-GLOBAL ID:200903088188617301

半導体レーザ素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-273163
公開番号(公開出願番号):特開平11-112087
出願日: 1997年10月06日
公開日(公表日): 1999年04月23日
要約:
【要約】【課題】 動作電圧の増大を伴わずに閾値電流を低減することが可能な半導体レーザ素子を提供する。また、発振波長ずれを併せて防止することも可能とする。【解決手段】 多重量子井戸構造の活性層105を挟んで、第1ガイド層104及び第2ガイド層106が設けられた半導体レーザ素子において、第1ガイド層104及び第2ガイド層106を量子井戸層120に隣接させると共に第1ガイド層104及び第2ガイド層106の禁制帯幅を量子井戸層120の禁制帯幅より大きくし、且つ、第1ガイド層104及び第2ガイド層106の少なくとも一方の禁制帯幅を量子障壁層121の禁制帯幅よりも小さくする構成とする。
請求項(抜粋):
複数の量子井戸層と、該複数の量子井戸層で挟まれた量子障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層を挟んで、第1ガイド層及び第2ガイド層が設けられた半導体レーザ素子であって、該第1ガイド層及び該第2ガイド層を該量子井戸層に隣接させると共に該第1ガイド層及び該第2ガイド層の禁制帯幅を該量子井戸層の禁制帯幅より大きくし、且つ、該第1ガイド層及び該第2ガイド層の少なくとも一方の禁制帯幅を該量子障壁層の禁制帯幅よりも小さくした半導体レーザ素子。
引用特許:
出願人引用 (11件)
  • 半導体レーザ装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-264184   出願人:富士ゼロツクス株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-050830   出願人:日本電気株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-039404   出願人:松下電器産業株式会社
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審査官引用 (11件)
  • 半導体レーザ装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-264184   出願人:富士ゼロツクス株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-050830   出願人:日本電気株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-039404   出願人:松下電器産業株式会社
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