特許
J-GLOBAL ID：200903088241962857

複合セラミック基板

発明者：
鬼谷 正光

鬼谷 正光 について

, 
松井 猛

松井 猛 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 郁男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-098718
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299519
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高強度であると同時に、高熱伝導性であり且つ高周波特性に優れ、高周波用の配線基板として特に有用な複合セラミック基板を提供する。【解決手段】 アルミナセラミックス絶縁層1と、アルミナセラミックス絶縁層1よりも低い誘電率のセラミックス絶縁層とが焼成によって一体化された絶縁基板を備え、該絶縁基板の表面及び内部には、Au、Ag、Cu及びPtから成る群より選択された少なくとも1種の低抵抗導体を含有する導体層が形成されていることを特徴とする複合セラミック基板10。
請求項（抜粋）：
アルミナセラミックス絶縁層と、該アルミナセラミックス絶縁層よりも低い誘電率のセラミックス絶縁層とが焼成によって一体化された絶縁基板を備え、該絶縁基板の表面及び内部には、Au、Ag、Cu及びPtから成る群より選択された少なくとも1種の低抵抗導体を含有する導体層が形成されていることを特徴とする複合セラミック基板。
IPC (7件)：
H01L 23/13 ,  C04B 35/111 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46
FI (8件)：
H01L 23/12 301 J ,  H01L 23/12 301 Z ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 T ,  H01L 23/12 C ,  C04B 35/10 D ,  H01L 23/14 M
Fターム (32件)：
4G030AA07 ,  4G030AA25 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA12 ,  4G030GA04 ,  4G030GA14 ,  4G030GA17 ,  4G030GA26 ,  4G030HA04 ,  4G030HA09 ,  4G030HA18 ,  4G030HA25 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA23 ,  5E346CC17 ,  5E346CC31 ,  5E346CC32 ,  5E346CC35 ,  5E346CC36 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346GG02 ,  5E346GG03 ,  5E346HH06 ,  5E346HH17
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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