特許
J-GLOBAL ID：200903088432208214
半導体発光素子、その製造方法および発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
福田 賢三
, 福田 伸一
, 福田 武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-065748
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297056
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】 700°C以下の低温、低圧力の接合条件においても接着力の高く、耐熱性に優れた接着層を見出し、接合時に発生するストレスを減少でき、安定生産できるようにする。【解決手段】 この発明の半導体発光素子100は、発光部20aを含む半導体層20と、発光部20aの発光波長に対して透明な透明基板40と、半導体層20と透明基板40とを接合する低融点ガラス層30と、を含むことを特徴としている。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
発光部を含む半導体層と、
前記発光部の発光波長に対して透明な透明基板と、
前記半導体層と透明基板とを接合する低融点ガラス層と、
を含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
5F041AA31
, 5F041AA37
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA91
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041DA09
, 5F041DA20
, 5F041DA44
, 5F041DB09
出願人引用 (3件)
-
特許第3230638号公報
-
発光ダイオードの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-064528
出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
-
発光ダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-107502
出願人：國聯光電科技股ふん有限公司
審査官引用 (8件)
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