純タングステンコンタクトおよびラインを形成する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：龍華明裕 , 飯山和俊 , 明石英也 , 東山忠義 , 林茂則 , 高田学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-325333
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152612
出願日： 2008年12月22日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】新しい低抵抗率タングステン積層膜スキーム、および、低抵抗率タングステン積層膜を堆積する方法を提供する。【解決手段】積層膜は、タングステン・カーバイド、または、窒化タングステンなどの低抵抗率タングステン化合物と混合されたタングステンを有するタングステンリッチ層371を、タングステン核生成373および/またはバルク層375を堆積するベースとして有する。これらのタングステンリッチ層は、タングステンコンタクトのメタライゼーション、および、ビットラインにおけるバリアおよび/または接着層として用いられうる。タングステンリッチ層の堆積は、基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質にさらすことを含む。タングステンとタングステン・カーバイドとの混合層は、優れた接着性を有する薄い低抵抗率の膜であり、次なるタングステンプラグまたはライン形成の優れたベースとなる。【選択図】図3C

請求項（抜粋）：

純タングステンプラグを形成する方法であって、導電領域を露出するコンタクトホールを誘電層内に有する半導体基板を提供する段階と、前記基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質、および、還元剤にさらすことによって、少なくとも前記露出した導電領域上にタングステンリッチ膜を堆積する段階と、前記基板をタングステン含有前駆物質にさらすことによって、前記タングステンリッチ膜上に1つ以上のタングステン層を堆積する段階と、前記ホールをタングステンで実質的にふさぎ、タングステンプラグを形成する段階と、を備える方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (4件)：

H01L21/90 C , H01L21/28 301R , H01L21/285 C , H01L21/88 M

Fターム (32件)：

4M104BB18 , 4M104BB34 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG16 , 4M104HH13 , 4M104HH16 , 5F033HH19 , 5F033HH36 , 5F033JJ19 , 5F033JJ36 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP11 , 5F033PP33 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX02 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX14

引用特許：

審査官引用 (9件)

特許第705936号
導体のための超薄単一相障壁層およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-117578 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
W(CO)6からのタングステン膜の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-266507 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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