半導体記憶装置及びシステム

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074490
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255470
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】その低コスト化を阻害することなく、BSG方式を採るシンクロナスDRAM等の高速化を図り、これを含むコンピュータ等の高速化を図る。【解決手段】電源電圧VDD及び接地電位VSSその動作電源とし、かつ相補ビット線B0*における読み出し信号の増幅後の到達電位が内部電圧VDL及びVSLとされるBSG方式を採るシンクロナスDRAM等において、ライトアンプから相補共通データ線CD0*を介してメモリアレイの選択メモリセルに供給される書き込み信号のハイレベル及びロウレベルの到達電位を、所定期間だけそれぞれ電源電圧VDD及び接地電位VSSとし、あるいはセンスアンプに対するコモンソース線CSP及びCSNの電位を、所定期間だけそれぞれ電源電圧VDD及び接地電位VSSとすることで、相補ビット線B0*における書き込み信号の実質的な到達振幅を相補ビット線B0*における読み出し信号の増幅後の到達振幅よりも大きくして、言わばオーバードライブ書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

そのビット線における書き込み信号の実質的な到達振幅が上記ビット線における読み出し信号の増幅後の実質的な到達振幅よりも大きくされることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/409 , G11C 11/407 , H01L 27/10 311

FI (3件)：

G11C 11/34 353 E , H01L 27/10 311 , G11C 11/34 362 S

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-187809 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
特開平2-018784
特開平2-246089

審査官引用 (12件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-187809 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
低電源電圧を使用する半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-068262 出願人：三星電子株式会社
特開平2-071492

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