電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大前要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-132696
公開番号（公開出願番号）：特開2001-312955
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】放出電流密度が大きく、大面積のパターン化された電子放出素子を得る。また、そのような電子放出素子を高い生産性で製造する。【解決手段】基板11の表面には、帯状の複数の導電層12が形成され、さらに、上記導電層12上に、カーボンブラックの粒子を混入させた、厚さが約1μmのポリシラン膜13が形成されている。ポリシラン膜13には、多数のカーボンナノチューブ14が、基板11に対してほぼ垂直で、その一端がポリシラン膜13に埋め込まれるようにして固定されている。上記カーボンナノチューブ14の埋め込みは、ポリシラン膜13に紫外光を照射して原子間結合の解離を生じさせた部分に、カーボンナノチューブ14を電気泳動により配置した後、加熱して硬化させることにより行われる。

請求項（抜粋）：

支持部材と、上記支持部材上に形成された保持部材と、針状構造を有し、上記保持部材に保持された冷陰極部材と、上記冷陰極部材に電圧を印加する電極部材と、を備え、上記冷陰極部材は、上記支持部材にほぼ垂直な姿勢で、かつ、一端が上記保持部材に埋設される一方、他端が上記保持部材から露出するように、上記保持部材に保持されるとともに、上記保持部材は、半導体部材および導電性部材の少なくとも何れか一方を含んでいることを特徴とする電子放出素子。

IPC (4件)：

H01J 1/304 , H01J 9/02 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 F

Fターム (7件)：

5C031DD17 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF08 , 5C036EG02 , 5C036EG12 , 5C036EH11

引用特許：

審査官引用 (8件)

電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-249096 出願人：株式会社東芝
シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-056289 出願人：日立化成工業株式会社
電子放出素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-005868 出願人：松下電器産業株式会社, 中山喜萬, 大研化学工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"Electrode Device Using Carbon Nanotubes for Display"

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