特許
J-GLOBAL ID：200903089622216015

半導体装置とその製造方法

発明者：
小林 知永

小林 知永 について

, 
滝田 雄三

滝田 雄三 について

, 
橋元 伸晃

橋元 伸晃 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-204348
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034507
出願日： 2006年07月27日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：
【課題】コスト増を招くことなく高いインダクタンス値を得る。【解決手段】半導体基板10にインダクタ素子40が形成される。粉末状の磁性体が分散された樹脂材で形成され、インダクタ素子40を覆う磁性樹脂体30、66を備える。また、巻き線41における配線間の隙間を埋めるように、透磁率の低い材料として非磁性の樹脂層42が製膜されている。樹脂剤42は磁性樹脂層30を形成する材料の中、磁性体が添加されない樹脂で形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板にインダクタ素子が形成された半導体装置であって、 粉末状の磁性体が分散された樹脂材で形成され、前記インダクタ素子を覆う磁性樹脂体を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01F 17/00
FI (3件)：
H01L27/04 L ,  H01L21/88 T ,  H01F17/00 B
Fターム (55件)：
5E070AA01 ,  5E070AB04 ,  5E070CB02 ,  5E070DA15 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH22 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ22 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM21 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR26 ,  5F033RR27 ,  5F033SS22 ,  5F033UU04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV08 ,  5F033VV15 ,  5F033XX34 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE07 ,  5F038CA16 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 磁性薄膜インダクタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049393   出願人：株式会社日立製作所, 日立マクセル株式会社
  • 薄膜磁気素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-041119   出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
  • 特許第3580054号公報
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審査官引用 (6件)
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