半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-148402
公開番号（公開出願番号）：特開2007-318015
出願日： 2006年05月29日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】p型MOSトランジスタおよびn型MOSトランジスタを有する半導体装置において、各動作に弊害を生じさせることなく、ゲート絶縁膜にハフニウムを含むゲート絶縁膜を採用して、微細化の図られた半導体装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】シリコン基板1と、シリコン基板1の表面上に形成され、ハフニウムを含むゲート絶縁膜10と、シリコン基板1の表面上に、ゲート絶縁膜10を介して形成された第1のゲート電極G1および第2のゲート電極G2と、第1のゲート電極G1および第2ゲート電極G2下のシリコン基板1を挟んでそれぞれ形成された一対の第1の不純物拡散層15および一対の第2不純物拡散層25とを備え、ゲート絶縁膜10に接する膜は、第1のゲート電極G1と第2のゲート電極G2とで異なり、ゲート絶縁膜10中に含まれるハフニウムは、シリコン基板1側よりも、第1のゲート電極G1および第2ゲート電極G2側に多く含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板の表面上に形成され、ハフニウムを含むゲート絶縁膜と、前記シリコン基板の表面上に、前記ゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極および第2のゲート電極と、前記第1のゲート電極および前記第2ゲート電極下の前記シリコン基板を挟んでそれぞれ形成された一対の第1の不純物拡散層および一対の第2不純物拡散層とを備え、前記ゲート絶縁膜に接する膜は、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とで異なり、前記ゲート絶縁膜中に含まれるハフニウムは、前記シリコン基板側よりも、前記第1のゲート電極および前記第2ゲート電極側に多く含まれている、半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 27/088 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/283

FI (7件)：

H01L27/08 321D , H01L29/78 301G , H01L27/08 102C , H01L29/58 G , H01L21/316 X , C23C16/40 , H01L21/283 C

Fターム (89件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA10 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 4M104BB01 , 4M104BB27 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG14 , 5F048AA01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F058BA01 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BD05 , 5F058BD18 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BJ01 , 5F140AA06 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF17 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CB08

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-388316 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
絶縁膜形成方法、半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-377200 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-246882 出願人：株式会社東芝

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