電荷トラップ絶縁体の製造方法及びSONOS型の不揮発性半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-233367
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067412
出願日： 2006年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】電荷トラップ絶縁膜の製造方法、SONOS型の不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化物からなる第1酸化膜15を形成する。シリコンソース物質と窒素ソースガスを用いたサイクリック化学気相蒸着工程を実施し、第1酸化膜15上にシリコンリッチ窒化物(SixNy、x/yの値が0.7〜1.5である)を含むシリコン窒化膜20を形成する。シリコン窒化膜20上に第2酸化膜30を形成する。その結果、消去特性の優れた電荷トラップ絶縁体50が完成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコン酸化物からなる第1酸化膜を形成する段階と、シリコンソース物質及び窒素ソースガスを用いたサイクリック化学気相蒸着工程を実施し、前記第1酸化膜上にシリコン窒化物(SixNy、x/yの値が0.7〜1.5である)を含むシリコン窒化膜を形成する段階と、前記シリコン窒化膜上に第2酸化膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする電荷トラップ絶縁体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L21/318 M , H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (32件)：

5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ01 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP49 , 5F083EP50 , 5F083ER03 , 5F083ER09 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083ER30 , 5F083GA01 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F101BA45 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD35 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F101BH05

引用特許：

出願人引用 (11件)

米国特許第6,501,681号明細書
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-007885 出願人：ソニー株式会社
半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-160084 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (1件)

半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-160084 出願人：株式会社東芝

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