発光ダイオード及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010071
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217451
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】電極保護を行なうことなく、半導体チップの上面及び側面の凹凸化及び薄膜形成を形成し、光取出し効率を向上させた、p型領域を上面とする発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】上方にp型領域13を備えたpn接合から成る発光ダイオードであって、この半導体チップの上面及び側面に凹凸17及び薄膜18を有する、外部光取り出し効率の高い発光ダイオードを作製する。

請求項（抜粋）：

p型の第一の半導体領域とn型の第二の半導体領域とをpn接合を形成するように配置した半導体チップと、半導体チップの少なくともp型の領域に配設された電極とを含んでおり、該半導体チップ上面の電極以外の領域及び側面から光を取り出すように構成され、上記電極以外の半導体チップ上面及び/又は側面が、0.5乃至5μm程度の凹凸面を有すると共に、少なくともその凹凸面に、上記半導体チップ材料を含む化合物の薄膜が付着している発光ダイオードにおいて、上記半導体チップの上面が、上記p型の第一の半導体領域であり、上記半導体チップの側面が、上記p型の第一の半導体領域及びn型の第二の半導体領域であることを特徴とする、発光ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/301 , H01L 21/308

FI (5件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/308 C , H01L 21/78 Q , H01L 21/78 W , H01L 21/78 M

Fターム (13件)：

5F041AA03 , 5F041CA02 , 5F041CA12 , 5F041CA14 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CB11 , 5F043AA16 , 5F043BB10 , 5F043FF10 , 5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (14件)

改良された放射能力を有する放射線放出ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-050033 出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-357530 出願人：サンケン電気株式会社
特開平4-042583

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審査官引用 (14件)

改良された放射能力を有する放射線放出ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-050033 出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-357530 出願人：サンケン電気株式会社
特開平4-042583

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