特許
J-GLOBAL ID：200903090825902958
半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162437
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018080
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 順メサの活性層への効率的な電流狭窄が行え十分な光出力が得られると共に歩留が向上するようにした半導体発光素子の製造方法を提供する。【構成】 InGaAsP活性層23を有する多層半導体構造をエッチングし形成した順メサ形状部A<SB>0 </SB>上に庇25aが形成されるようマスク25を設け、順メサ形状部A<SB>0 </SB>の両側をp-InP埋め込み層26、n-InP埋め込み層27で埋め、庇25aの長さW、庇25aの端から直下の順メサ形状部A<SB>0 </SB>の側面までの距離h<SB>0 </SB>、両埋め込み層の厚さtが、W/h<SB>0 </SB>≦0.6 ,t/h<SB>0 </SB><1.6であるので、庇25aと順メサ形状部A<SB>0 </SB>の側面との距離h<SB>0 </SB>に対し庇25aの長さWが比較的短く、両埋め込み層の厚さtも厚くなく、p-InP埋め込み層26が成長し易くなってn-InP埋め込み層27とInGaAsP活性層23が確実に分離され、また後で成長する層に大きな溝が生じなくなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた活性層を有する多層半導体構造をマスクを設けて順メサ形状部を形成するようエッチングし、前記順メサ形状部上の該マスクに庇が形成されるようにした後、前記順メサ形状部の両側を互いに異なる極性の埋め込み層を積層して埋め込むようにした半導体発光素子の製造方法において、前記マスクの庇の長さW、庇の端から直下の前記順メサ形状部の側面までの距離h0 、前記順メサ形状部両側の前記埋め込み層の厚さtが、W/h0 ≦0.6t/h0 ≦2.0であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
引用特許：
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