特許
J-GLOBAL ID：200903090832066588
化合物半導体薄膜のp型への活性化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127370
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031084
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体薄膜のp型への活性化方法を提供する。【解決手段】 バンドギャップより高エネルギーの電磁波を薄膜に照射しながら熱処理を施す。成長時にドーピングされるp型不純物の量は、薄膜の固有抵抗と適正熱処理温度を変え、また電極との接触抵抗を改善する。これにより、MOCVDやHVPEなどの気相エピタキシ法で成長した化合物半導体薄膜の吸収波長の電磁波を照射して化合物半導体薄膜の固有抵抗を低下させたり、付随的に化合物半導体と電極との特性接触抵抗率を低下させる。また、化合物半導体薄膜の成長時、化合物半導体薄膜に注入されたp型不純物の量が増加すると、活性化工程の適正熱処理温度が低くなる。そこで、紫外線の照射なしにp型不純物のドーピング温度を高め、低温での熱処理だけで化合物半導体薄膜の固有抵抗を低下させる。
請求項（抜粋）：
気相エピタキシ法で成長され、p型不純物がドーピングされる化合物半導体薄膜及び電極を使用して化合物半導体素子を製作する方法であって、前記p型不純物がドーピングされた化合物半導体薄膜に吸収されうる電磁波を、前記p型不純物がドーピングされた化合物半導体薄膜に照射する段階を含む、化合物半導体薄膜のp型への活性化方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/265
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01L 21/268 Z
, H01L 33/00 C
, H01L 21/265 602 A
, H01S 3/18 673
