特許
J-GLOBAL ID：200903090864743107
ろう付け用合金およびろう付け接合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-197464
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040583
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体あるいはセラミックス同士の接合部や、半導体あるいはセラミックスと金属との接合部を形成するにあたり、半導体の動作温度よりも高い温度でろう付けができ、その動作温度において電気伝導性や熱伝導性などに優れ、それらの特性の劣化が少なく、耐熱性にも優れた接合部を形成することができるろう付け用合金を提供する。【解決手段】 Ti,Zr,Ni元素で構成され、TiおよびZrの下限が各々5重量%で且つTi+Zrが50重量%以上、Niが40重量%以下の組成であるろう付け用合金、または、Ti,Zr,Ni,X(但し、XはSi,Ge,Mn,Snのうちの少なくとも1種)元素で構成され、TiおよびZrの下限が各々5重量%で且つTi+Zrが50重量%以上、Niが40重量%以下、Xが20重量%以下の組成であるろう付け用合金、ならびに、これらのろう付け用合金からなるろう材3を用いてPNダイオード2とSiC放熱基板4とを接合し、下部電極を兼ねるろう材3と上部電極5にそれぞれリード線6,7を接続して構成した半導体デバイス1。
請求項（抜粋）：
Ti,Zr,Ni元素で構成され、TiおよびZrの下限が各々5重量%で且つTi+Zrが50重量%以上、Niが40重量%以下の組成であることを特徴とするろう付け用合金。
IPC (8件)：
H01L 21/52
, C04B 37/00
, C22C 14/00
, C22C 30/00
, H01L 35/08
, H01L 35/32
, B23K 35/32 310
, H01L 35/14
H01L 21/52 E
, C04B 37/00 B
, C22C 14/00 Z
, C22C 30/00
, H01L 35/08
, H01L 35/32 A
, B23K 35/32 310 Z
, H01L 35/14
